PchパワーMOSFET 30V4A AO3401A
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トレンチ構造により低ON抵抗、低ゲート電荷量、2.5V動作を実現

■主な仕様
・チャネル:P
・ドレインソース間電圧:-30V
・ドレイン電流DC:-4A
・ピークドレイン電流:-27A
・ゲートソース間電圧:±12V
・ゲート漏れ電流:±100nA
・オン抵抗:41mΩ
・許容損失max.:1.4W
・実装タイプ:表面実装
・パッケージ:SOT23
・端子数:3
・パッケージタイプ:SOT
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