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シリコン双方向スイッチング素子(SBS)BS08Dは、シリコンプレーナ拡散技術により制作された、双方向にスイッチング特性を有する集積回路です。静特性は双方向ともほぼ対称な特性であり、スイッチング電圧は7～9Vで温度係数は0.01%/℃です。BS08Dを用いたトライアック位相制御回路は、BS08Dのゲートを利用してヒステリシス特性を軽減させることができます。ボリュームにより制御角を約10°～160°の広範囲にわたりスムーズな位相制御が可能となります。

トライアックのゲート制御にSBS(シリコン双方向スイッチング素子BS08Dを使うとAC100V機器の出力パワー(明るさや発熱量)をボリュームによって0%から100%まで無段階に調節できます

・SBSのスイッチング電圧が8V(typ.)と低く、広範囲な位相(導通角)制御が可能です。
・SBSのゲート端子を利用してヒステリシス特性を軽減が可能です。

■主な仕様
・種別：SBS
・ブレークオーバ電圧：8V
・ブレークオーバ電圧シンメトリ：0.5V
・ブレークオーバ電流：200μA
・繰り返しピーク電流：1A
・許容損失max.：450mW
・実装タイプ：スルーホール
・パッケージ：TO92S
・パッケージタイプ：TO92
・保持電流：1.5mA

#シリコン双方向スイッチング素子